
主營(yíng)產(chǎn)品:
光學(xué)儀器、光學(xué)材料、實(shí)驗(yàn)儀器、手動(dòng)工具、焊接工具、焊接材料、儀器儀表、靜電設(shè)備、靜電輔料、工業(yè)器材、氣動(dòng)元件、電工電氣、測(cè)量工具、計(jì)量設(shè)備、氣動(dòng)工具、電動(dòng)工具、化工設(shè)備、化工輔料、點(diǎn)膠設(shè)備、小型設(shè)備、儲(chǔ)存設(shè)備、物流設(shè)備、工業(yè)安防、**防護(hù)、包裝材料、切削工具、切削材料、辦公設(shè)備、辦公文 具、工裝夾具、測(cè)試治具、機(jī)械加工。設(shè)備等。
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產(chǎn)品詳情
簡(jiǎn)單介紹:
對(duì)應(yīng)于從薄膜到厚膜的寬膜厚度
功能齊全 重慶內(nèi)藤銷售 FE-300V 薄膜厚度監(jiān)視器 OTSUKA大塚電子
使用反射光譜的厚度分析
功能齊全 重慶內(nèi)藤銷售 FE-300V 薄膜厚度監(jiān)視器 OTSUKA大塚電子
結(jié)構(gòu)緊湊·成本低,但非接觸式,非破壞性和高度**的測(cè)量
簡(jiǎn)單的條件設(shè)置和測(cè)量操作!易于測(cè)量任何人的膜厚度
詳情介紹:
它是一種緊湊,低成本的薄膜厚度計(jì),可以通過高精度的光學(xué)干涉方法實(shí)現(xiàn)薄膜厚度測(cè)量,操作簡(jiǎn)單。
我們采用了一體化的房屋,在主體中容納了必要的設(shè)備,實(shí)現(xiàn)了穩(wěn)定的數(shù)據(jù)采集。
光學(xué)常數(shù)的分析也可以通過獲得**反射率來實(shí)現(xiàn),盡管它是低成本的。
我們采用了一體化的房屋,在主體中容納了必要的設(shè)備,實(shí)現(xiàn)了穩(wěn)定的數(shù)據(jù)采集。
光學(xué)常數(shù)的分析也可以通過獲得**反射率來實(shí)現(xiàn),盡管它是低成本的。
(詳情請(qǐng)咨詢TEL:18375760285 QQ;1280713150 白先生)
特點(diǎn)
- 對(duì)應(yīng)于從薄膜到厚膜的寬膜厚度
- 使用反射光譜的厚度分析
- 結(jié)構(gòu)緊湊·成本低,但非接觸式,非破壞性和高度**的測(cè)量
- 簡(jiǎn)單的條件設(shè)置和測(cè)量操作!易于測(cè)量任何人的膜厚度
- 通過非線性*小二乘法,優(yōu)化方法,PV方法,F(xiàn)FT分析方法等可以進(jìn)行各種各樣的膜厚度測(cè)量。
- 通過非線性*小二乘法的膜厚度分析算法可以進(jìn)行光學(xué)常數(shù)分析(n:折射率,k:消光數(shù)計(jì)數(shù))
測(cè)量項(xiàng)目
- **反射率測(cè)量
- 薄膜厚度分析分析(10層)
- 光學(xué)常數(shù)分析(n:折射率,k:消光米數(shù))
應(yīng)用程序使用
-
功能性膜,塑料
的透明導(dǎo)電膜(ITO,銀納米線),相位差膜,偏振膜,AR膜,PET,PEN,TAC,PP ,PC,PE,PVA, 膠,粘合劑,保護(hù)膜,硬外套,指紋等 -
半導(dǎo)體
化合物半導(dǎo)體,Si,氧化膜,氮化膜,Resist,SiC,GaAs,GaN,InP,InGaAs,SOI,藍(lán)寶石等 -
表面處理的
DLC涂層,防銹劑,防霧劑等 -
光學(xué)材料
過濾器,AR涂層等 -
FPD
LCD(CF,ITO,LC,PI),OLED(有機(jī)薄膜,密封劑)等 -
其他
硬盤,磁帶,建筑材料等
測(cè)量原理
使用大冢電子,光學(xué)干涉測(cè)量和我們自己的高精度分光光度計(jì)可實(shí)現(xiàn)非接觸,無損,高速和高精度的薄膜厚度測(cè)量。光學(xué)干涉測(cè)量法是通過使用由使用如圖1所示的分光光度計(jì)的光學(xué)系統(tǒng)獲得的反射率來獲得光學(xué)膜厚度的方法。例如,如圖1所示,在金屬基板上涂布膜的情況下,從目標(biāo)試樣的上方入射的光被膜(R1)的表面反射。而且,透過膜的光在基板(金屬)或膜界面(R2)上反射。測(cè)量此時(shí)由于光程差引起的相移引起的光學(xué)干涉現(xiàn)象,并根據(jù)所獲得的反射光譜和折射率計(jì)算膜厚度的方法稱為光學(xué)干涉方法。有四種分析方法:峰谷方法,頻率分析方法,非線性*小二乘法和優(yōu)化方法。
產(chǎn)品規(guī)格
模型 | FE-300V | FE-300 UV | FE-300 NIR * 1 | |
整個(gè) | 標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量類型 | 薄膜測(cè)量類型 | 厚膜測(cè)量類型 |
厚膜測(cè)量類型 (高分辨率) |
樣本大小 | *大8英寸晶圓(厚度5毫米) | |||
測(cè)量的薄膜厚度范圍 (nd) |
100納米到40微米 | 10納米至20微米 | 3μm至300μm | 15微米到1.5毫米 |
測(cè)量波長(zhǎng)范圍 | 450納米到780納米 | 300nm至800nm | 900nm至1600nm | 1470nm至1600nm |
薄膜厚度精度 | ±0.2 nm * 2以內(nèi) | ±0.2 nm * 2以內(nèi) | - | - |
重復(fù)性 | 在0.1納米* 3以內(nèi) | 在0.1納米* 3以內(nèi) | - | - |
測(cè)量時(shí)間 | 在0.1秒到10秒內(nèi) | |||
點(diǎn)直徑 | φ約3毫米 | |||
光源 | 鹵素 | 氘和鹵素混合 | 鹵素 | 鹵素 |
接口 | USB | |||
尺寸,重量 | <280(W)×570(D)×350(H)mm,約24kg | |||
軟件 | ||||
標(biāo)準(zhǔn) | 峰谷分析,F(xiàn)FT分析,優(yōu)化方法分析,*小二乘分析 | |||
選項(xiàng) | 材料評(píng)估軟件,后期分析軟件,膜模型分析,參考板 |
* 1請(qǐng)與我們聯(lián)系以獲取詳細(xì)信息
* 2
超大規(guī)模集成電路薄膜厚度保證(100納米二氧化硅/硅)* 3 所述的測(cè)量保證值范圍對(duì)于VLSI薄膜厚度標(biāo)準(zhǔn)(100納米二氧化硅/硅)重復(fù)測(cè)量的不確定性(包含因子2.1)
光學(xué)系統(tǒng)圖
軟件屏幕
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