
主營產品:
光學儀器、光學材料、實驗儀器、手動工具、焊接工具、焊接材料、儀器儀表、靜電設備、靜電輔料、工業器材、氣動元件、電工電氣、測量工具、計量設備、氣動工具、電動工具、化工設備、化工輔料、點膠設備、小型設備、儲存設備、物流設備、工業安防、**防護、包裝材料、切削工具、切削材料、辦公設備、辦公文 具、工裝夾具、測試治具、機械加工。設備等。
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產品詳情
簡單介紹:
除了能夠進行高精度薄膜分析的分光橢圓偏振光譜儀之外,還可以通過安裝測量角度的自
功能齊全 重慶內藤銷售 FE-5000 光譜橢偏儀 OTSUKA大塚電子
動可變機構來支持各種薄膜。除了傳統的旋轉分析儀方法之外,通過提供相位差板的自動
功能齊全 重慶內藤銷售 FE-5000 光譜橢偏儀 OTSUKA大塚電子
回縮機構來提高測量精度。
詳情介紹:
除了能夠進行高精度薄膜分析的分光橢圓偏振光譜儀之外,還可以通過安裝測量角度的自動可變機構來支持各種薄膜。除了傳統的旋轉分析儀方法之外,通過提供相位差板的自動回縮機構來提高測量精度。
(詳情請咨詢TEL:18375760285 QQ;1280713150 白先生)
特點
- 橢圓參數測量可以在紫外和可見光(250-800nm)的波長范圍內進行
- 納米級多層薄膜的厚度分析
- Ellipso光譜可以通過400多ch的多通道光譜快速測量
- 對應于通過可變反射角度測量的薄膜的詳細分析
- 通過創建光學常數數據庫并添加配方注冊功能,可以增強操作的便利性
- 可以通過層膜配合分析通過光學常數測量來控制膜厚度/膜質量
測量項目
- 橢圓參數(tanψ,cosΔ)測量
- 光學常數(n:折射率,k:消光系數)分析
- 薄膜厚度分析
應用程序使用
-
半導體晶片
的柵氧化膜,氮化物膜
的SiO 2,硅X ? ?,氮化硅,的SiON,氮化硅X,AL 2 ? 3由SiN X ? ?,多晶Si,硒化鋅,BPSG,氮化鈦
的抗蝕劑(波長色散)的光學常數 -
化合物半導體
Al x Ga (1-x) As多層膜,非晶硅 -
用于等離子顯示器的FPD
定向膜
ITO,MgO等 -
各種新材料
DLC(Diamond Like Carbon),超導薄膜,磁頭薄膜等 -
光學薄膜
TiO 2,SiO 2,多層膜,減反射膜,反射膜 -
光刻領域
g線(436納米),h線(405納米),i線(365納米)中,n在各波長,諸如KrF受(248nm的)中,k評價
產品規格
模型 | FE-5000S | FE-5000 |
測量樣本 | 反射測量樣本 | |
樣本大小 | 100 x 100毫米 | 200 x 200毫米 |
測量方法 | 旋轉分析儀方法* 1 | |
測量的薄膜厚度范圍(nd) | 0.1納米 - | |
事件(反射)角度范圍 | 45到90° | 45到90° |
事件(反射)角度驅動系統 | 自動簽名欄的驅動方法 | |
入射點直徑* 2 | 關于φ2.0 | 關于φ1.2sup * 3 |
tanψ測量精度 | ±0.01以下 | |
cosΔ測量精度 | ±0.01以下 | |
膜厚的可重復性 | 0.01%以下* 4 | |
測量波長范圍* 5 | 300至800納米 | 250至800納米 |
光譜探測器 | 多色儀(PDA,CCD) | |
測量光源 | 高穩定性氙燈* 6 | |
舞臺傳動系統 | 手冊 | 手動/自動 |
加載器兼容 | 不當 | 是的 |
尺寸,重量 |
650(W)×400(D)×560(H)mm 約50kg |
1300(W)×900(D)×1750(H)mm 約350kg * 7 |
軟件 | ||
分析 |
*小二乘薄膜分析(折射率模型函數,柯西色散方程模型方程,如NK-柯西色散方程模型分析) 理論方程分析(本體表面NK分析,角度依賴性同時分析) |
* 1可以驅動偏光片,可以去除對死區有效的延遲片。
* 2取決于短軸·角度。
* 3小點對應(選項)
* 4使用VLSI標準SiO2膜(100nm)時的值。
* 5可以在此波長范圍內進行選擇。
* 6光源根據測量波長而變化。
* 7選擇自動舞臺時的值。
原則
包括s波和p波的線性偏振光入射到樣本上,并測量反射光的橢圓偏振光。s波和在相位p波的變化和獨立地振幅比tanψ和p波和S波的反射率的相位差的兩個偏振取決于獲得樣品Δ的轉換參數。

tanψ,consΔ被稱為橢球參數,橢圓光譜法測量這兩個參數的波長相關譜。
光學系統圖
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